发布时间：2022-10-09 09:31
IT之家10月8日报道，据德国媒体computerbase报道，三星在SamsungFoundryForum2022中介绍了其内存路线图。
在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb(3GB)- 32Gb(4GB)，原生速度6.4-7.2Gbps内存方面，明年新一代GDDR7内存将会问世，所以中期来看AMD和NVIDIA的新一代显卡都有可能使用GDDR7内存。
另外，三星做了一些长远的设想，比如2026年推出DDR6内存，2027年实现原生10Gbps速度。
三星也公布了自己的闪存路线图，预计2024年推出V9NAND芯片。
IT之家曾报道，三星在之前的TechDay2022活动中指出，其第九代V-NAND正在研发中，计划于2024年量产。到2030年，三星预计NAND堆栈将超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向客户提供。