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元件测试仪 LDO芯片电学特性测试数字源表

¥ 0.00

1 台

产品规格

可售数量: 1000 台可售

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武汉普赛斯仪表有限公司

5年

经营年限

武汉东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力能环保科技企业孵化器(加速器)一期9栋4层车间03号

所在地区

7.0

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产品属性

LDO芯片电学特性测试方案

  1. LDO芯片电学特性测试数字源表概述

    LDO,全称为“Low Dropout Regulator,是一种低压差线性稳压元器件其工作原理为,使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET),从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。相比于传统的DC-DC变换器,LDO具有成本低,噪音低,静态电流小的特点,需要的外接元件也很少,因此,LDO广泛应用于需要稳压输出的场景。

    UTC78XX系列LDO封装以及内部电路示意图

  2. 源表,SMU(Source Measure Unit)电源/测量单元,“源”为电压源和电流源,“表”为测量表,“源表”即指一种可作为四象限的电压源或电流源提供精确的电压或电流,同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表。普赛斯S系列高精度源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品 输出电压达300V, 小测试电流量程低至100pA,支持四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试。

  3. 常用电性能参数测试

    LDO常用的电性能参数测试,主要包括输出电压、输入输出电压差线性调整率、负载调整率、静态电流等。由于LDO的测试需要分别采集输入与输出端的数据,因此一般情况下,测试系统至少需要配置2台SMU,并采用上位机软件(PssSMUTools)进行控制。(以下测试均参考UTC7805规格进行)

    二线法连接示意图

    四线法连接示意图

  4. 测试方案

  5. Vo输出电压测试

    Vo输出电压,是LDO在正常工作稳定输出电压值。当加载在LDO输入端的工作电压,在规定范围内变动时LDO的输出电压Vo稳定在特定范围内。常用测试方法为,在LDO的输入端,加载稳定变化的电压,同时测量对应的输出端电压值。一般采用二线法连接即可。(参考UTC7805规格书,其规格参数5V左右)

    操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为输入电压源,而SMU 2则作为电压表

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形

  • Voi输入输出电压差,ΔVo线性调整率测试

    Voi输入输出电压差,是LDO正常工作时输入端与输出端的 小电压差值。ΔVo线性调整率是输入电压变化后对输出电压造成的影响。常用测试方法为,在LDO的输入端,加载稳定变化的电压,同时测量对应的输出端电压值,并计算两端电压测差值,或者输出端的变化值。此外,为降低测试中线材的干扰,输入输出电压差测试可采用4线连接法进行测量。(参考UTC7805规格书,Voi值为2V左右,ΔVo值为4mV左右)

    操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为输入电压源,而SMU 2则作为电压表

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形

  • ΔVoload负载调整率测试

    ΔVoload负载调整率是输出端接不同负载,输出端电压的变化。由于源表可以直接当电子负载,所以可以直接让源表做负载。常用测试方法为,保持LDO输入端电压稳定不变,在LDO的输出端,加载不同的电流值,同时测量对应的输出端电压值,并计算输出端的电压变化值。此外,为降低测试中线材的干扰,该测试可采用4线连接法进行测量。(参考UTC7805规格书,ΔVoload值为4mV左右)

    操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为稳定的输入源,而SMU 2则作为负载,同时测量负载两端的电压。

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形。根据测试需要,设置不同的输出电流参数,进行多次测试。

  • IQ静态电流测试测试

    IQ静态电流,是指输出端空载时,输入端流进的电流。常用测试方法为,断开LDO的输出端的连接,加载不同的电流值,在LDO输入端加载电压,并测量对应的输入端电流值。(参考UTC7805规格书,IQ值为5mA左右)

    连接示意图

    操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【数据记录仪】

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形。

以上是关于LDO芯片电学特性测试的信息,更多有关LDO芯片电学特性测试的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六

测量范围 300mV-300V/100nA-1A
尺寸 425*255*106mm
测量频率 50Hz
加工定制
适用范围 分立半导体器件,传感器,钙钛矿,纳米材料
重量 5KG
品牌 普赛斯仪表
测量精度 0.1%
类型 半导体器件测试仪
型号 S100

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元件测试仪 LDO芯片电学特性测试数字源表

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